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| 一. | 參數(shù)說明 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1. | 參數(shù)表中所給出的數(shù)據(jù)，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元件所能滿足的最小值, Qr、VTM、VTO、rT指元件可滿足(不超過)的最大值。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2. | 通態(tài)平均電流額定值ITAV(IFAV) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | ITAV(IFAV)指在雙面冷卻條件下，保證散熱器溫度55℃時，允許元件流過的最大正弦半波電流平均值。ITAV(IFAV)對應(yīng)元件額定有效值IRMS=1.57 ITAV。實際使用中，若不能保證散熱器溫度低于55℃或散熱器與元件接觸熱阻遠大于規(guī)定值，則元件應(yīng)降額使用。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3. | 可控硅通態(tài)電流上升率di/dt | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 參數(shù)表中所給的為元件通態(tài)電流上升率的臨界重復值。其對應(yīng)不重復測試值為重復值的2倍以上，在使用過程中，必須保證元件導通期任何時候的電流上升率都不能超過其重復值。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4. | 可控硅使用頻率 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
可控硅可工作的最大頻率由其工作時的電流脈沖寬度tp，關(guān)斷時間tq以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時間tV決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq，并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高，元件正向損耗Epf和反向恢復損耗Epr隨之升高，元件通態(tài)電流須降額使用。
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| 二. | 元件的選擇 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 凱高達科技教你正確地選擇可控硅、整流管等電力電子器件對保證整機設(shè)備的可靠性及降低設(shè)備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環(huán)境、冷卻方式、線路型式、負載性質(zhì)等因素，在保證所選元件各參數(shù)具有裕量的條件下兼顧經(jīng)濟性。由于電力電子器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，具體應(yīng)用形式多種多樣，下面僅就可控硅元件在整流電路和單項中頻逆變電路中的選擇加以說明。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1. | 整流電路器件選擇 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 工頻整流是可控硅元件最常用的領(lǐng)域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| (1) | 可控硅器件的正反向峰值電壓VDRM和VRRM：應(yīng)為元件實際承受最大峰值電壓UM的2-3倍，即VDRM/RRM=(2-3)UM。各種整流線路對應(yīng)的UM值見表1。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| (2) | 可控硅器件的額定通態(tài)電流IT(AV)： 可控硅的IT(AV)值指的是工頻正弦半波平均值，其對應(yīng)的有效值ITRMS=1.57IT(AV)。為使元件在工作過程中不因過熱損壞，流經(jīng)元件的實際有效值應(yīng)在乘以安全系數(shù)1.5-2后才能等于1.57IT(AV)。假設(shè)整流電路負載平均電流為Id，流經(jīng)每個器件的電流有效值為KId，則所選器件的額定通態(tài)電流應(yīng)為： IT(AV)=(1.5-2)KId / 1.57=Kfd*Id
Kfd為計算系數(shù)。對于控制角α=0O時，各種整流電路下的Kfd值見表1。選擇元件IT(AV)值還應(yīng)考慮元件散熱方式。一般情況下風冷比水冷相同元件的額定電流值要低；自然冷卻情況下，元件的額定電流要降為標準冷卻條件下的三分之一。
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| 表1：整流器件的最大峰值電壓UM及通態(tài)平均電流計算系數(shù)Kfd | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 注：U2為主回路變壓器二次相電壓有效值;單項半波電感負載電路帶續(xù)流二極管。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2. | 中頻逆變元件的選擇 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 一般400HZ以上的工作條件下，應(yīng)考慮使用KK器件；頻率在4KHz以上時，可考慮使用KA器件。這里主要介紹一下并聯(lián)逆變電路中元件的選擇(見圖一)。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| (1) | 元件正向和反向峰值電壓VDRM、VRRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 元件正向和反向峰值電壓應(yīng)取其實際承受最大正、反向峰值電壓的1.5-2倍。假設(shè)逆變器直流輸入電壓為Ud，功率因數(shù)為cosψ則：
VDRM/RRM=(1.5-2)πUd /(2cosψ)
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| (2) | 元件的額定通態(tài)電流IT(AV) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 考慮到元件在較高頻率下工作時，其開關(guān)損耗非常顯著，元件的額定通態(tài)電流應(yīng)按實際流過其有效值I的2-3倍來考慮，即
IT(AV)=(2-3)I/1.57
假設(shè)逆變器直流輸入電流為Id，則所選器件IT(AV)為
IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
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| (3) | 關(guān)斷時間tq | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 并聯(lián)逆變線路中，KK元件的關(guān)斷時間選擇要根據(jù)觸發(fā)引前時間tf和換流時間tr來決定。一般取： | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | tq=(tf-tr)× |  |
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| ? | (當功率因數(shù)為0.8時tf約為周期的十分之一，tr按元件di/dt小于或等于100A/μS來確定) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | 在頻率較高時，可通過減小換流時間tr，并適當犧牲功率因數(shù)增加tf的方法來選擇具有合適tq值的元件 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | 以上簡略介紹了整流和逆變工作條件下元件的選擇。在許多情況下，除了元件的額定電壓、電流外，還要根據(jù)具體條件選擇元件的門極參數(shù)、通態(tài)壓降以及斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt和通態(tài)電流臨界上升率di/dt。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 三. | 元件的保護 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | 可控硅元件的電壓和電流過載能力極差，尤其是耐壓能力，瞬時的過壓就會造成元件永久性的損壞。為了使元件能長期可靠地運行，必須針對過壓 和過電流發(fā)生的原因采取保護措施。
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| 1. | 過壓保護 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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可控硅工作過程中可能承受的過壓主要有以下幾種：一種是由于裝置拉、合閘、負載打火等引起的過壓；一種是由于元件關(guān)斷時產(chǎn)生的關(guān)斷電壓；還有因雷擊等原因從電網(wǎng)侵入的浪涌電壓。為限制過電壓的幅值低于元件的正反向峰值電壓，可采取以下保護措施(見圖二)。
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| (1) | 在變壓器一次側(cè)接上避雷器，在二次側(cè)加裝阻容保護、硒堆、壓敏電阻等非線性電阻元件進行保護。在整流直流側(cè)采取壓敏電阻和泄能保護裝置，以防止元件承受過電壓。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| (2) |
在可控硅陰陽極兩端直接進行保護。可控硅關(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產(chǎn)生達正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。電阻R選無感電阻，通常取5-30Ω；電容C通常在0.1-1μF，耐壓選元件耐壓的1.1-1.5倍。具體R、C取值可根據(jù)元件型號及工作情況調(diào)試決定。注意保證電阻R的功率，尤其在中頻逆變電路中，使之不會因發(fā)熱而損壞。 |
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| 2. | 過流保護 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | 可控硅元件在短時間內(nèi)具有一定的過流能力，但在過流嚴重時，不采取保護措施，就會造成元件損壞。在線路設(shè)計和元件選擇時應(yīng)考慮負載短路和過載情況，確保在異常情況下設(shè)備能自動保護。一般有以下幾種措施(見圖三)。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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| (1) | 在進線中串接電抗器限制短路電流，使其他保護方式切斷電流前元件短時間內(nèi)不致?lián)p壞； | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| (2) | 線路采用過流檢測裝置，由過流信號控制觸發(fā)器抑制過流，或接入過流繼電器。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| (3) | 安裝快速熔斷器。快速熔斷器的動作時間要求在10ms以內(nèi)，熔斷體的額定電流IKR可按以下原則選取：
1.57IT(AV)≥IKR≥IT
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| ? | IT(AV)為元件額定電流，IT為元件實際工作電流有效值 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 四. | 可控硅門極觸發(fā) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ? | 參數(shù)表中所給可控硅IGT、VGT為能觸發(fā)元件至通態(tài)的最小值，實際使用中，可控硅門極觸發(fā)IGT、VGT應(yīng)遠大于此值。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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應(yīng)用中門極觸發(fā)電流波形對可控硅開通時間、開通損耗以及di/dt承受能力，都有較大影響。為保證元件工作在最佳狀態(tài)，并增強抗干擾性能，凱高達科技所有可控硅,建議門極觸發(fā)脈沖電流幅值：IGM=2～5A(<10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升時間：tr≤1μs。即采用極陡前沿的強觸發(fā)脈沖(見圖四)。 |
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| 五. | 元件串并聯(lián)使用 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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元件串并聯(lián)使用時，線路上應(yīng)采取門極強觸發(fā)脈沖、均流、均壓措施，還須挑選開通、恢復特性一致的元件。特別是元件串聯(lián)工作于較高di/dt的逆變線路中時，其反向恢復特性對動態(tài)均壓起主要作用。
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